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可替代EUV光刻機 工藝直逼1.4nm 日本開發全新納米壓印技術
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簡介12月18日消息,雖然在EUV光刻機上已經出局,但日本依然是全球第二大光刻機供應商,這幾年日本公司也在憋足勁開發可替代EUV的光刻方案,他們選擇了NIL納米壓印技術路線。此前日本佳能、尼康等公司有過這 ...
12月18日消息,可替雖然在EUV光刻機上已經出局,光刻但日本依然是機工全球第二大光刻機供應商,這幾年日本公司也在憋足勁開發可替代EUV的藝直印技光刻方案,他們選擇了NIL納米壓印技術路線。逼n本開
此前日本佳能、發全尼康等公司有過這種技術展示,新納現在日本DNP公司(大日本印刷株式會社)也宣布開發出了10nm的米壓NIL納米壓印技術,可以將電路圖直接印在基板上,可替該技術可以用于1.4nm工藝的光刻邏輯芯片曝光。
具體技術上,機工DNP的藝直印技10nm納米壓印技術采用SADP自對準雙重圖案技術,一次曝光+兩次圖案能夠制造成雙倍精度的逼n本開芯片,可以滿足先進工藝邏輯芯片的發全要求,而且功耗優勢明顯,新納DNP公司稱其能耗只有當前主流工藝的1/10左右。
該公司已經研發NIL技術超過20年,目前的技術已經可以部分替代EUV光刻,為芯片制造商提供另一種高精度工藝生產的選擇,現在已經在跟硬件供應商合作啟動技術評估。
DNP公司預計在完成客戶驗證,建立量產和供應體系之后,預計2027年開始量產出貨。
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