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臺(tái)積電封裝產(chǎn)能供不應(yīng)求蘋果高通轉(zhuǎn)向英特爾尋求破局

發(fā)布時(shí)間：2025-11-22 07:13:36 作者：玩站小弟

11月18日消息，據(jù)媒體報(bào)道，全球AI芯片與高性能計(jì)算需求激增，推動(dòng)臺(tái)積電CoWoSChip on Wafer on Substrate）先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求暴漲。盡管臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，產(chǎn)能缺口仍成為制約A 。

11月18日消息，臺(tái)積通轉(zhuǎn)特?fù)?jù)媒體報(bào)道，電封全球AI芯片與高性能計(jì)算需求激增，裝產(chǎn)推動(dòng)臺(tái)積電CoWoS（Chip on 求蘋Wafer on Substrate）先進(jìn)封裝產(chǎn)能需求暴漲。

盡管臺(tái)積電持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)，果高產(chǎn)能缺口仍成為制約AI/HPC芯片供應(yīng)的向英尋求關(guān)鍵瓶頸，部分客戶開始評估英特爾等替代方案。破局

分析認(rèn)為，臺(tái)積通轉(zhuǎn)特由于臺(tái)積電CoWoS產(chǎn)能目前主要被英偉達(dá)、電封AMD 與大型云端客戶包攬，裝產(chǎn)新客戶的求蘋排單彈性有限，使得其他芯片大廠開始積極評估其他先進(jìn)封裝技術(shù)，果高而在先進(jìn)封裝技術(shù)領(lǐng)域，向英尋求英特爾的破局技術(shù)實(shí)力與臺(tái)積電相當(dāng)。

目前，臺(tái)積通轉(zhuǎn)特英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)主要分為2.5D 的EMIB（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge）以及3D 的Foveros。

業(yè)界普遍關(guān)注的臺(tái)積電CoWoS則屬于2.5D 大型硅中介層封裝，是目前支持最多顆HBM 堆疊、也是AI GPU 最主要采用的技術(shù)。與英特爾的兩項(xiàng)方案相比，CoWoS 成熟度高、產(chǎn)能規(guī)模最大，并擁有廣泛的HPC/GPU 客戶，因此仍是市場主流。

行業(yè)分析指出，伴隨AI、數(shù)據(jù)中心及定制化芯片需求爆發(fā)，頭部芯片廠商正積極重構(gòu)供應(yīng)鏈組合。蘋果與高通在人才招聘中明確要求英特爾封裝技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，釋放出供應(yīng)鏈多元化信號。

未來先進(jìn)封裝領(lǐng)域可能從臺(tái)積電CoWoS單極主導(dǎo)，逐步轉(zhuǎn)向“臺(tái)積電-英特爾雙供應(yīng)”格局，以增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈抗風(fēng)險(xiǎn)能力。