12月29日消息，都想疊存儲三巨頭SK海力士、供貨給三星和美光，力士正加速開發16-Hi HBM內存芯片，星和目標是美光在2026年第四季度向NVIDIA供貨。

據悉，加速NVIDIA已向供應商提出需求，層堆希望在2026年第四季度正式交付16-Hi HBM芯片，都想疊用于其頂級AI加速器。供貨給

一位行業人士表示：“繼12-Hi HBM4之后，力士英偉達又提出了16-Hi的星和供貨需求，因此我們正在制定非?？焖俚拿拦忾_發時間表。性能評估最早可能在明年第三季度之前開始。加速”

16-Hi HBM技術尚未實現商業化，層堆其開發面臨諸多技術難題，都想疊尤其是隨著堆疊層數的增加，DRAM堆疊的復雜性呈指數級上升。

根據JEDEC標準，HBM4的總厚度限制在775µm，要在這一有限空間內塞進16層DRAM芯片，意味著晶圓厚度必須從目前的50µm壓縮至30µm左右，而如此薄的晶圓在加工中極易損壞。

此外，粘合工藝也是競爭焦點，目前三星與美光主要采用 TC-NCF技術，而SK海力士則堅持MR-MUF工藝。

為了增加堆疊層數，粘合材料的厚度必須縮減到10µm以下，如何在極致輕薄化后依然能有效散熱，是三家企業必須跨越的“大山”。

16-Hi被視為半導體行業的一道分水嶺，根據行業藍圖，下一代HBM5的堆疊層數也僅能達到16層，預計到2035年的HBM7才會實現20層和24層堆疊，而未來的HBM8也將止步于24層堆疊。