1月5日消息，原廠2025年的故意D各格全高漲存儲漲價潮，不僅延續(xù)到了2026年，減產還呈現(xiàn)出愈演愈烈之勢。開年

根據TrendForce最新調查，內存2026年第一季由于DRAM內存原廠大規(guī)模轉移先進制程、類存新產能至HBM應用，面上以滿足AI服務器需求，漲最其余市場供給嚴重緊縮，原廠預估整體一般型DRAM合約價將季增55-60%。故意D各格全高漲

消費級NAND閃存（對應SSD）則因原廠控管產能，減產和服務器端強勁拉貨排擠其他應用，開年估計各類產品合約價持續(xù)上漲33-38%。內存

TrendForce表示，類存雖然2026年第一季度預期筆記本出貨將同比減少，面上且部分中低端機型出現(xiàn)SSD容量降級以壓低BOM 成本的情況，影響消費端SSD需求。

然因原廠追求利潤最大化，消費端SSD供給受數(shù)據中心SSD排擠，以高性價比的大容量QLC產品供應最緊，預估第一季消費級SSD合約價仍將增長至少40%，漲幅為各類NAND閃存產品之最。

手機品牌方面，即便在淡季對內存需求不強，然因移動DRAM內存供給緊縮情況難在短期內改善，且未來數(shù)季合約價可能再升高，品牌于第一季維持較強拉貨力道。預計LPDDR4X、LPDDR5X皆呈現(xiàn)供不應求、資源分配不均情況，價格繼續(xù)走強。

以下為2026年第一季度DRAM內存、NAND閃存價格預測：

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